Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60SNCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60SNCX7SA
SIGC12T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC12T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmış olup, 30A pulse akımını destekler. Die paket formatında sunulan bu komponent, güç dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılan yüksek frekanslı anahtarlama devrelerine uygun bir transistördür. 29ns açılma ve 266ns kapanma gecikme sürelerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(on) açık durum voltajı 15V gerilim ve 10A akım koşullarında 2.5V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/266ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok