Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60SNCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60SNCX7SA
SIGC12T60SNCX7SA1 Hakkında
SIGC12T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die pakajında sunulan bu komponent, güç dönüştürücü, inverter ve motor kontrol devrelerinde anahtarlama elemanı olarak çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5V olup, hızlı açılma (29ns) ve kapanma (266ns) özellikleri ile dinamik performans sağlar. Yüksek frekanslı uygulamalar için uygun bir çözümdür. Lütfen datasheet'i inceleyerek uygulamanıza uygunluğunu doğrulayınız.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/266ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok