Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC12T60SNCX1SA4

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC12T60SNCX1SA4

SIGC12T60SNCX1SA4 Hakkında

SIGC12T60SNCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Tekil chip konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10A maksimum kolektör akımı ve 30A puls akımı desteği ile, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve indüktif yük anahtarlama devrelerinde yer alır. 2.5V tipik açık durumda gerilim düşüşü ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Die paket formatında Surface Mount teknolojisiyle entegre edilmiş olup, hızlı açılış/kapanış zamanları (29ns/266ns) ile dinamik uygulamalara uygun bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 29ns/266ns
Test Condition 400V, 10A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok