Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60SNCX1SA3
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60SNCX1SA3
SIGC12T60SNCX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC12T60SNCX1SA3, 600V kollektör-emitter kırılma voltajında çalışan NPT tipi IGBT transistörüdür. 10A maksimum kollektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die (çip) formatında sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, güç dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde voltaj ve akım kontrolü sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 29ns açılış ve 266ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Surface mount uygulamalar için tasarlanmış olup, yüksek yoğunluklu entegrasyon gerektiren devrelere entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/266ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok