Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60SNCX1SA
SIGC12T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC12T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 29ns açılış ve 266ns kapanış zamanları ile hızlı komutasyon performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur. 2.5V Vce(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/266ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok