Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX7SA
SIGC12T60NCX7SA2 Hakkında
SIGC12T60NCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. NPT tipi bu bileşen, maksimum 10A collector akımı ve 30A pulsed akım kapasitesi ile doğrudan entegre devrelere monte edilebilir. Die paket formatında sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 21ns/110ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, yüksek yoğunluklu devre tasarımlarında tercih edilir. Obsolete durumda olan ürün, arşiv ve onarım amaçlı uygulamalarda değerlendirilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok