Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX7SA1
SIGC12T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC12T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu komponent, 600V kollektör-emitör açılma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A maksimum DC akımı ve 30A pulse akımı ile güç anahtarlama devrelerinde, invertörler, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yer alır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Hızlı açılma (21ns) ve kapanma (110ns) zamanları ile modern anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlandığı ifade edilmektedir. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok