Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX1SA5
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX1SA5
SIGC12T60NCX1SA5 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) tipi IGBT transistördür. Surface Mount wafer formunda sunulan bu bileşen, maksimum 10A sürekli ve 30A pulsed kolektor akımı ile çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5V'tur. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, motor sürücüleri, DC-DC konverterler ve koruma devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 21ns açılış ve 110ns kapanış gecikmesi sağlar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok