Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX1SA4
SIGC12T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi tekil IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 10A DC ve 30A pulsed collector akımı ile çalışabilir. 600V kolektör-emiter kırılma voltajına sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arasında sıcaklık aralığında işletilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 10A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. Açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 21ns ve 110ns'dir. Endüstriyel anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç dönüştürme devreleri gibi alanlarda kullanılmaya uygundur. Bileşen üretimden kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok