Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX1SA3
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX1SA3
SIGC12T60NCX1SA3 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajında çalışan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ile sürekli operasyon ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan ürün, endüstriyel sürücü devreleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilmesi, çeşitli ortam koşullarına uygunluğunu sağlar. 21ns açılış ve 110ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 15V gate voltajında 10A akımda Vce(on) değeri 2.5V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok