Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC12T60NCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC12T60NCX1SA
SIGC12T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC12T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör kesintme voltajı ve maksimum 10A sürekli kollektör akımı ile tasarlanmıştır. Pulse akımı 30A'ye ulaşabilen bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ön kapı voltajı 15V'de 10A akımda 2.5V'dur. Açılış ve kapanış gecikme süreleri sırasıyla 21ns ve 110ns olup, hızlı anahtarlamaya olanak sağlar. Wafer (Die) paket formunda sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç çevirme devrelerinde, motor sürücülerinde ve düşük-orta güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok