Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC121T60NR2CX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC121T60NR2CX
SIGC121T60NR2CX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC121T60NR2CX7SA1, 600V sınıfı NPT (Non-Punch-Through) IGBT transistörüdür. 150A kolektör akımı ve 450A darbe akımı yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.5V Vce(on) değeri ile iletim kayıpları minimuma indirgenmiştir. Turn-on ve turn-off gecikmesi sırasıyla 125ns ve 225ns olup, 300V/150A/1.5Ω test koşullarında karakterize edilmiştir. Die (çip) paket formatında sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 125ns/225ns |
| Test Condition | 300V, 150A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok