Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC121T60NR2CX1SA3
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC121T60NR2CX1SA3
SIGC121T60NR2CX1SA3 Hakkında
SIGC121T60NR2CX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Surface Mount Die paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150A sabit kollektör akımı ve 450A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V sabit açık durum gerilimi (Vce(on)) ile düşük kayıp özelliği gösterir. Td(on/off) değerleri 125ns/225ns olarak belirtilmiş olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç dönüştürme, motorlar ve inverter uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir anahtarlama elemanıdır. Ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 125ns/225ns |
| Test Condition | 300V, 150A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok