Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC121T60NR2CX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC121T60NR
SIGC121T60NR2CX1SA2 Hakkında
SIGC121T60NR2CX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 150A sürekli kollektör akımı ve 450A impulsif akım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC/AC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 2.5V maksimum VCE(on) ile düşük iletim kaybı sağlar. Hızlı anahtarlama özelliği (125ns açılış, 225ns kapanış) ile enerji verimliliği artırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 450 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 125ns/225ns |
| Test Condition | 300V, 150A, 1.5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok