Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC11T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC11T60SNCX1SA
SIGC11T60SNCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC11T60SNCX1SA2, NPT tipi IGBT transistördür. 600V breakdown voltajında çalışan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 30A pulsed collector akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount die paketinde sunulan ürün, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 10A akımda 2.4V olup, 28ns açılış ve 198ns kapanış süresi sunmaktadır. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve inverter devreleri gibi orta güç uygulamalarında tercih edilebilir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/198ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok