Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC11T60SNCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC11T60SNCX1SA
SIGC11T60SNCX1SA1 Hakkında
SIGC11T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 10A kolektör akımı ve 30A pulslu akım yeteneği ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, endüstriyel güç elektronik devreleri ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.4V maksimum Vce(on) değeri ile enerji kayıpları minimize edilir. Hızlı anahtarlama karakteristikleri (28ns on, 198ns off) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalara uygunluk sağlar. Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/198ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok