Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC11T60NCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC11T60NCX1SA2
SIGC11T60NCX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC11T60NCX1SA2, 600V voltaj sınıfında çalışan NPT tipi IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu komponent, 10A maksimum collector akımı ve 30A pulsed collector akımı kapasitesi ile uygulamalara güç kontrolü sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2.5V olup, 20ns açılış ve 110ns kapanış zamanlarına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu bileşen, anahtarlamaya dayalı güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük açılış gecikmesi ve hızlı kapanış özellikleri ile yüksek frekanslı anahtarlama devreleri için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 10A, 27Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok