Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC10T60EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC10T60EX7SA1
SIGC10T60EX7SA1 Hakkında
SIGC10T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 20A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak tasarlanan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronikleri devrelerinde, inverter, UPS, motor sürücü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uyygundur. Die formunda sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 1.9V (15V, 20A) Vce(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok