Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC10T60EX1SA5
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC10T60EX1SA
SIGC10T60EX1SA5 Hakkında
SIGC10T60EX1SA5, Infineon Technologies tarafından üretilen Surface Mount IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, maksimum 20A sürekli collector akımı ve 60A pulsed collector akımı ile çalışabilmektedir. 600V collector-emitter breakdown voltajı sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 20A collector akımında 1.9V olarak belirlenmiştir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motorlar, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik beslenme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Die paketi formatında sunulan bu IGBT, yüksek frekanslı güç elektronik devreleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok