Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC10T60EX1SA3
IGBT 3 CHIP 600V 20A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC10T60EX1SA3
SIGC10T60EX1SA3 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC10T60EX1SA3, 600V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 20A sabit kollektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.9V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında güvenilir performans sunar. Die paket formunda sunulan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok