Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC109T120R3LEX1SA2
IGBT 1200V 100A DIE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC109T120R3
SIGC109T120R3LEX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC109T120R3LEX1SA2, 1200V/100A özelliklere sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.1V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 300A pulse collector akımı kapasitesi sayesinde anlık yük geçişlerini yönetebilir. Endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürme, kaynak makineleri ve enerji yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montaj yöntemi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok