Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC100T65R3EX1SA2
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC100T65R3EX1SA2
SIGC100T65R3EX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T65R3EX1SA2, 650V/200A kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine dayanan bu bileşen, kollektör akımında 200A sürekli ve 600A pulse kapasitesi sağlar. 1.9V Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu die, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. Die paketlemesi ile doğrudan yüksek yoğunluk entegrasyonuna olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok