Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC100T60R3EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC100T60R3
SIGC100T60R3EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T60R3EX7SA1, 600V/200A kapasitesinde bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Die (çip) şeklinde sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9V @ 15V, 200A koşullarında collector-emitter doyum gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Pulse akımı 600A'ye kadar çıkabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde yer bulur. Standard input tipine sahip transistör, Surface Mount teknolojisi ile entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok