Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC100T60R3EX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC100T60R3
SIGC100T60R3EX1SA4 Hakkında
SIGC100T60R3EX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 200A kapasiteli Trench Field Stop teknolojili IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu komponent, yüksek akım seviyelerinde çalışabilen ve 600A pulse akımını kaldırabilen bir güç anahtarlama elemanıdır. 1.9V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletkenim kaybına sahiptir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sınırları sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılan bu komponent, yüksek frekansta anahtarlama işlevlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok