Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC100T60R3EX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V 200A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC100T60R3
SIGC100T60R3EX1SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC100T60R3EX1SA1, 600V ve 200A derecesinde çalışan üç çip Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 600A pulsa kadar akım taşıyabilir ve 1.9V on-state voltajı (Vce) ile çalışır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel sürücü devrelerde, renewable enerji sistemlerinde ve elektrik dönüştürücülerinde kullanılır. Standard giriş tipine sahip olup, yüzey monte teknolojisine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok