Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC08T60EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 15A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC08T60EX7S
SIGC08T60EX7SA1 Hakkında
SIGC08T60EX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 15A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 45A'e kadar pulse akımını destekleyebilir. Standard input tipiyle kontrol devrelerine kolay entegrasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük on-state voltajı (1.9V @ 15V, 15A) ile enerji kaybı minimize edilir. Die paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok