Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC08T60EX1SA2

IGBT 3 CHIP 600V 15A WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC08T60EX1SA2

SIGC08T60EX1SA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC08T60EX1SA2, Trench Field Stop teknolojisine dayanan 600V/15A kapasiteli bir IGBT transistördür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, 1.9V'luk düşük on-state gerilim (Vce) ile verimli güç iletimi sağlar. Maksimum 45A'lik pulse akımı destekleyen transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Standard giriş tipi ile kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok