Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC08T60EX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC08T60EX1SA1
SIGC08T60EX1SA1 Hakkında
SIGC08T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir Trench Field Stop IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chipdir. 600V breakdown voltajında çalışan bu bileşen, maksimum 15A kolektör akımı ve 45A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.9V on-state voltajı ile düşük kayıp karakteristiği sunar. Die formunda sunulan bu IGBT, güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans sergiler ve endüstriyel güç elektroniği tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok