Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC07T60SNCX7SA2

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC07T60

SIGC07T60SNCX7SA2 Hakkında

SIGC07T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V durdurma gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 6A sürekli kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Die paket formatında sunulan bu tekil çip, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V (15V gate geriliminde, 6A'da) açık gerilimi ve 24ns/248ns açma/kapanma süresi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, mirasına ait tasarımlarda yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 24ns/248ns
Test Condition 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok