Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC07T60SNCX1SA4

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC07T60SNC

SIGC07T60SNCX1SA4 Hakkında

SIGC07T60SNCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT (Non-Punch Through) türü IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu üç çipli wafer bileşeni, maksimum 6A kollektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V tipik açılış gerilimi (Vce(on)) ve 24ns açılış / 248ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 24ns/248ns
Test Condition 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok