Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC07T60SNCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC07T60SNCX1SA3

SIGC07T60SNCX1SA3 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC07T60SNCX1SA3, 600V 6A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. Surface mount die paketi içinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum kollektör akımı 6A, darbe akımı ise 18A'dir. 2.5V on-state voltajı (Vce) ile düşük kayıp özellikleri sağlar. 24ns açılış ve 248ns kapanış zamanları ile hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, motor kontrol, güç dönüştürücüler, inverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 24ns/248ns
Test Condition 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok