Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC07T60SNCX1SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC07T60SNCX1SA2
SIGC07T60SNCX1SA2 Hakkında
SIGC07T60SNCX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Die paket formatında sunulan bu komponent, yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarında, invertör devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 24ns/248ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesine olanak tanır. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/248ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok