Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC07T60NCX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC07T60NCX7SA1
SIGC07T60NCX7SA1 Hakkında
SIGC07T60NCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 600V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 6A DC collector akımı ile çalışmaktadır. Pulsed modda 18A'e kadar çıkabilir. Standard input tipi girişle kontrol edilen transistör, 300V/6A test koşullarında 2.5V vce(on) değerine sahiptir. Anahtarlama karakteristiği on/off zamanı sırasıyla 21ns/110ns olup, -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir. Düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve ac/dc dönüştürücülerde kullanım görebilir. Not: Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 6A, 54Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok