Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC07T60NCX1SA4
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC07T60NCX1SA
SIGC07T60NCX1SA4 Hakkında
SIGC07T60NCX1SA4, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A sürekli kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount die paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 21ns açılış ve 110ns kapanış sürelerine sahip transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6A akımda 2.5V olarak belirtilmiştir. 18A pulse akım kapasitesi ile kısa süreli yüksek akım koşullarında kullanılabilir. Converter, inverter ve motor kontrol devrelerinde uygulanır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 6A, 54Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok