Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC07T60NCX1SA1
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC07T60NCX1SA1
SIGC07T60NCX1SA1 Hakkında
SIGC07T60NCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, maksimum 6A kolektör akımı ve 18A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Standart giriş tipinde tasarlanan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri (21ns açılış, 110ns kapanış) ile güç dönüştürücü uygulamaları, motorlar, endüstriyel kontrol sistemleri ve enerji yönetimi devrelerinde kullanılır. Ürün eski durumda (Obsolete) olup, yüzey montaj uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 6A, 54Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok