Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC06T60EX7SA1
IGBT 3 CHIP 600V 10A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC06T60EX7SA1
SIGC06T60EX7SA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC06T60EX7SA1, 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 10A sürekli kollektör akımı ve 30A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 1.9V (15V gate voltaj, 10A kollektör akımında) açık durum voltajına sahiptir. Die paket formatında sunulan bu komponent, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürücü ve anahtarlama devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Standard giriş tipi ile kontrol edilebilen bu IGBT, kompakt tasarım gerektiren sistemlerde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok