Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC06T60EX1SA2
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC06T60EX1SA2
SIGC06T60EX1SA2 Hakkında
SIGC06T60EX1SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çiptir. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu transistör, maksimum 600V collector-emitter gerilimi ile çalışır. Sürekli akım kapasitesi 10A, pulslu akım ise 30A'ye kadar ulaşabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 10A akımda 1.9V olarak belirlenmiştir. Die paket formatında sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılmak üzere -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve endüstriyel dönüştürücülerde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok