Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC05T60SNCX7SA2
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC05T60SNCX7SA2
SIGC05T60SNCX7SA2 Hakkında
SIGC05T60SNCX7SA2, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 600V kollektör-emitör breakdown voltajı ve maksimum 4A DC kollektör akımı ile çalışan bu bileşen, pulse durumunda 12A'ye kadar akım taşıyabilir. Die paket formatında üretilen transistör, 22ns on ve 264ns off switching zamanları ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu IGBT, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerinde ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 2.5V Vce(on) ile düşük iletim kaybı sağlar. Bileşen obsolete durumda olmasına rağmen endüstriyel arşiv ve bakım uygulamalarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/264ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 67Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok