Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC05T60SNCX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC05T60SNCX7SA

SIGC05T60SNCX7SA1 Hakkında

SIGC05T60SNCX7SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V NPT tipi IGBT transistördür. Die paket biçiminde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesi ile çalışır. 15V gate voltajında 2.5V sabit durum voltajı sağlayan transistör, 22ns açılış ve 264ns kapanış gecikmesi ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunan komponent, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetim uygulamalarında kullanılır. 400V, 4A test koşullarında karakterize edilmiştir. Ürün yaşam döngüsünde yaşlı statüdedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 22ns/264ns
Test Condition 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok