Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC05T60SNCX1SA3

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC05T60SNCX1SA3

SIGC05T60SNCX1SA3 Hakkında

SIGC05T60SNCX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT (Non-Punch Through) tipi bir IGBT transistördür. 600V voltaj sınıfında çalışan bu komponent, maksimum 4A sürekli collector akımı ve 12A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Die paketinde sunulan bu ürün, anahtarlama uygulamalarında güç kontrolü ve yönetimi için tasarlanmıştır. Açılış ve kapanış zamanları sırasıyla 22ns ve 264ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Standard giriş tipine sahip olup, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Kolektor-emitter doyum voltajı 15V kapı geriliminde 4A akımda maksimum 2.5V'dur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 22ns/264ns
Test Condition 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok