Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC05T60SNCX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC05T60SNCX1SA1

SIGC05T60SNCX1SA1 Hakkında

SIGC05T60SNCX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 600V dielektrik dayanımı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Die format olarak sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol sistemlerinde yer alan özel uygulamalar için tasarlanmıştır. 15V gate voltajında 2.5V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 22ns açılış ve 264ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Td (on/off) @ 25°C 22ns/264ns
Test Condition 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok