Transistörler - IGBT - Tekil

SIGC03T60EX7SA1

IGBT 3 CHIP 600V 4A WAFER

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SIGC03T60EX7SA1

SIGC03T60EX7SA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIGC03T60EX7SA1, 600V 4A kapasitesine sahip Trench Field Stop tipinde bir IGBT transistördür. Die paketinde sunulan bu komponent, maksimum 12A pulse akım ile çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A akımda 1.9V olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışan bu komponent, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri ve switching güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarda kullanılır. Standard giriş tipine sahip olan transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok