Transistörler - IGBT - Tekil
SIGC03T60EX1SA1
IGBT CHIP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIGC03T60EX1SA1
SIGC03T60EX1SA1 Hakkında
SIGC03T60EX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çipdir. 600V breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Standard input tipi ve die paketi formatında sunulur. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük açık durum kaybını sağlar. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde değerlendirilir. Surface mount teknolojisiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok