Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 2x5
- Seri / Aile Numarası
- SIF912EDZ
SIF912EDZ-T1-E3 Hakkında
SIF912EDZ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK 2x5 yüzey montajlı paket içinde iki adet N-kanal transistörü barındıran bu bileşen, 30V drain-source voltajında 7.4A sürekli drenaj akımını destekler. Logic Level Gate özelliğiyle düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 19mOhm maksimum on-state direnci (4.5V, 7.4A'de) ve 1.5V eşik gerilimi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1.6W maksimum güç dağılımına sahiptir. Küçük form faktörü ve düşük gate yükü (15nC) ile yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 2x5 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® (2x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok