Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIF902EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 2x5
- Seri / Aile Numarası
- SIF902
SIF902EDZ-T1-E3 Hakkında
SIF902EDZ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 7A sürekli drain akımı sağlayabilir. PowerPAK® 2x5 yüzey montaj paketinde sunulan SIF902, düşük RDS(on) değeri (22mOhm @ 7A, 4.5V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 14nC gate charge ve 1.5V threshold voltajı hızlı ve kolay kontrolü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 2x5 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® (2x5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok