Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

SIDC81D120H8X1SA3

DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
SIDC81D120H8X1SA3

SIDC81D120H8X1SA3 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC81D120H8X1SA3, 1200V reverse voltaj dayanımına sahip genel amaçlı bir doğrultucu diyottur. 150A DC ortalama doğrultulmuş akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Standart recovery hızına (>500ns) sahip bu komponent, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde yer alır. -40°C ile 175°C arasında çalışan diyot, 150A akımda 2.15V forward voltaj karakteristiğine ve 1200V'da 27µA reverse leakage akımına sahiptir. Wafer formunda sağlanan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güvenilir doğrultulama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 150A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 27 µA @ 1200 V
Diode Type Standard
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Part Status Active
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.15 V @ 150 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok