Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC59D170HX1SA2
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC59D170HX1SA2
SIDC59D170HX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC59D170HX1SA2, 1.7 kV ters voltaj ve 100 A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip genel amaçlı bir doğrultma diyotudur. Standard recovery karakteristiğine (>500ns) sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. Die format olarak sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.8 V forward voltaj düşümü ile 100 A'de işletilir ve ters akım sızıntısı 1700 V'da 27 µA düzeyindedir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler ve yüksek voltaj doğrultma devrelerinde kullanıma uygun olup, üretim sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 100A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1700 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 100 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok