Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC42D120E6X1SA4
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC42D120E6
SIDC42D120E6X1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC42D120E6X1SA4, 1200V ters gerilim ve 50A ortalama doğrultulmuş akımda çalışan genel amaçlı diyot komponentdir. Standard recovery karakteristiğine sahip bu diyot, power supply devrelerinde, inverter aplikasyonlarında ve yüksek gerilim doğrultma uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 50A'de 1.9V forward gerilim değerine ve 1200V'ta 27µA reverse leakage akımına sahiptir. Surface mount teknolojisiyle entegre devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok