Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC30D120H8X1SA4
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC30D120H8X1SA4
SIDC30D120H8X1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC30D120H8X1SA4, 1200V DC ters voltaj kapasitesine sahip standart doğrultucu diyottur. 50A ortalama düzeltilmiş akım ile tasarlanmış bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında AC'nin DC'ye dönüştürülmesinde kullanılır. Die paketinde sunulan bu yüzey monte diyot, -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1.97V maksimum ön gerilim düşüşü ve 27µA ters sızıntı akımı ile endüstriyel güç uygulamaları, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek gerilimli doğrultma devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.97 V @ 50 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok