Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SIDC30D120H6X1SA4
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIDC30D120H6X1SA4
SIDC30D120H6X1SA4 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SIDC30D120H6X1SA4, 1200V ters voltaj ve 50A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip genel amaçlı standart diyottur. Surface mount die pakette sunulan bu bileşen, 1.6V forward voltaj düşüşü ve 27µA ters kaçak akımı (@1200V) ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan SIDC30D120H6X1SA4, yüksek voltajlı doğrultma devreleri, AC/DC güç kaynakları, endüstriyel elektronik uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Standard recovery hızı (>500ns) ve yüksek ters voltaj toleransı, bu diyodu kritik güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir seçenek haline getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 27 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 50 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok